DMN2450UFD-7

Diodes Incorporated

DMN2450UFD-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V 900MA 3DFN

Aktiv3-UDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs600mOhm @ 200mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds52 pF @ 16 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C900mA (Ta)
Max. Verlustleistung400mW (Ta)

Mechanisch

Package / Case3-UDFN
Hersteller-GehäuseX1-DFN1212-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)