DMN2310UFD-7

Diodes Incorporated

DMN2310UFD-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN1212-3

Aktiv3-PowerUDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs240mOhm @ 1A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds38 pF @ 10 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id950mV @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.7A (Ta)
Max. Verlustleistung670mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case3-PowerUDFN
Hersteller-GehäuseU-DFN1212-3 (Type C)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)