DMN2053UVT-13

Diodes Incorporated

DMN2053UVT-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 4.6A TSOT26

AktivSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 5A, 4.5V
Basis-TeilenummerDMN2053
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.6nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds369pF @ 10V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.6A (Ta)
Power - Max700mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Hersteller-GehäuseTSOT-26

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)