DMN2025UFDB-7

Diodes Incorporated

DMN2025UFDB-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 6A 6UDFN

Aktiv6-UDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 4A, 4.5V
Basis-TeilenummerDMN2025
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds486pF @ 10V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta)
Power - Max700mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseU-DFN2020-6 (Type B)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)