DMN2024UTS-13

Diodes Incorporated

DMN2024UTS-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 6.2A 8TSSOP

Aktiv8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 6.5A, 4.5V
Basis-TeilenummerDMN2024
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds647pF @ 10V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id950mV @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.2A (Ta), 15.2A (Tc)
Power - Max890mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-TSSOP

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)