DMN2022UNS-7

Diodes Incorporated

DMN2022UNS-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 10.7A PWRDI3333

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs10.8mOhm @ 4A, 4.5V
Basis-TeilenummerDMN2022
Konfiguration2 N-Channel (Dual) Common Drain
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1870pF @ 10V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10.7A (Ta)
Power - Max1.2W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePowerDI3333-8 (Type UXB)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)