DMN2016LHAB-7

Diodes Incorporated

DMN2016LHAB-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 7.5A 6UDFN

Aktiv6-UDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs15.5mOhm @ 4A, 4.5V
Basis-TeilenummerDMN2016
Konfiguration2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1550pF @ 10V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.5A
Power - Max1.2W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseU-DFN2030-6 (Type B)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)