DMN2014LHAB-13

Diodes Incorporated

DMN2014LHAB-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 9A 6UDFN

Aktiv6-UFDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs13mOhm @ 4A, 4.5V
Basis-TeilenummerDMN2014
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs16nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1550pF @ 10V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusAktiv
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta)
Power - Max800mW (Ta)

Mechanisch

Package / Case6-UFDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseU-DFN2030-6 (Type B)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)