DMN2011UFX-7

Diodes Incorporated

DMN2011UFX-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 12.2A 4VDFN

Aktiv4-VFDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs9.5mOhm @ 10A, 4.5V
Basis-TeilenummerDMN2011
Konfiguration2 N-Channel (Dual) Common Drain
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs56nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2248pF @ 10V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12.2A (Ta)
Power - Max2.1W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case4-VFDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseV-DFN2050-4

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)