DMN2010UDZ-7

Diodes Incorporated

DMN2010UDZ-7

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 24V 11A 6UDFN

Obsolet6-UDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs7mOhm @ 5.5A, 4.5V
Basis-TeilenummerDMN2010
Konfiguration2 N-Channel (Dual) Common Drain
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2665pF @ 10V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A
Power - Max700mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseU-DFN2535-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)