DMN2009UCA4-7

Name: DMN2009UCA4-7
Brand: Diodes Incorporated

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 20V 10.3A X4-DSN1717-4

Aktiv4-XFBGA, DSBGAAnalog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	11.9mOhm @ 2.5A, 4.5V
Basis-Teilenummer	DMN2009
FET Feature	Standard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	17.5nC @ 4V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1780pF @ 10V
Hersteller	Diodes Incorporated
Montageart	Surface Mount
Product Status	Active
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	1.4V @ 640µA

Drain-Source-Spannung	20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	10.3A (Ta)
Power - Max	900mW

Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)