DMN2008LFU-13

Diodes Incorporated

DMN2008LFU-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 14.5A 6UDFN

Aktiv6-UFDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.4mOhm @ 5.5A, 4.5V
Basis-TeilenummerDMN2008
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1418pF @ 10V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14.5A
Power - Max1W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-UFDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseU-DFN2030-6 (Type B)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)