DMN2005UFGQ-13

Diodes Incorporated

DMN2005UFGQ-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V 18A PWRDI3333

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.6mOhm @ 13.5A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6495 pF @ 10 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C18A (Ta), 50A (Tc)
Max. Verlustleistung1.05W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePowerDI3333-8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)