DMN2005LPK-7

Diodes Incorporated

DMN2005LPK-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V 440MA 3DFN

Aktiv3-UFDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 10mA, 4V
Basis-TeilenummerDMN2005
FET TypeN-Channel
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 100µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.5V, 4V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C440mA (Ta)
Max. Verlustleistung450mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case3-UFDFN
Hersteller-GehäuseX1-DFN1006-3

Umwelt

Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)