DMN2005DLP4K-7

Diodes Incorporated

DMN2005DLP4K-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6DFN

Aktiv6-XFDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.5Ohm @ 10mA, 4V
Basis-TeilenummerDMN2005
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id900mV @ 100µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C300mA
Power - Max400mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-XFDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseX2-DFN1310-6 (Type B)

Umwelt

Betriebstemperatur-65°C ~ 150°C (TJ)