DMN16M8UCA6-7

Diodes Incorporated

DMN16M8UCA6-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 12V X3-DSN2718-6

Aktiv6-SMD, No LeadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5.6mOhm @ 3A, 4.5V
Konfiguration2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs45.4nC @ 6V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2333pF @ 6V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15.5A (Ta)
Power - Max1.1W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-SMD, No Lead
Hersteller-GehäuseX3-DSN2718-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)