DMN14M8UFDF-7

Diodes Incorporated

DMN14M8UFDF-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6

Aktiv6-UDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs6mOhm @ 12A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs29.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1246 pF @ 6 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14.7A (Ta)
Max. Verlustleistung1.1W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseU-DFN2020-6 (Type F)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)