DMN10H6D2LFDB-7

Diodes Incorporated

DMN10H6D2LFDB-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 100V 0.27A 6UDFN

Aktiv6-UDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs6Ohm @ 190mA, 10V
Basis-TeilenummerDMN10
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.2nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds41pF @ 50V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C270mA (Ta)
Power - Max700mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseU-DFN2020-6 (Type B)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)