DMN1004UFV-13

Diodes Incorporated

DMN1004UFV-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 12V 70A POWERDI3333

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8mOhm @ 15A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs47 nC @ 8 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2385 pF @ 6 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C70A (Tc)
Max. Verlustleistung1.9W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePowerDI3333-8 (Type UX)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)