DMN1003UCA6-7

Diodes Incorporated

DMN1003UCA6-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6

Aktiv6-SMD, No LeadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerDMN1003
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs56.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3315pF @ 6V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 1mA

Elektrisch

Power - Max2.67W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-SMD, No Lead
Hersteller-GehäuseX3-DSN3518-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)