DMJ70H600HK3-13

Diodes Incorporated

DMJ70H600HK3-13

Analog & Leistungselektronik

MOSFET BVDSS: 651V~800V TO252 T&

AktivTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs600mOhm @ 2.4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds570 pF @ 25 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.6A (Tc)
Max. Verlustleistung90W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseTO-252, (D-Pak)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)