DMJ70H600HCT

Diodes Incorporated

DMJ70H600HCT

Analog & Leistungselektronik

MOSFET BVDSS: 651V~800V TO220AB

ObsoletTO-220-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs600mOhm @ 2.4A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds570 pF @ 25 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung700 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.5A (Tc)
Max. Verlustleistung2.3W (Ta), 104W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3
Hersteller-GehäuseTO-220AB (Type TH)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)