DMHT3006LFJ-13

Diodes Incorporated

DMHT3006LFJ-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 4N-CH 30V 13A 12VDFN

Aktiv12-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs10mOhm @ 10A, 10V
Basis-TeilenummerDMHT3006
Konfiguration4 N-Channel (Full Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs17nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1171pF @ 15V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Ta)
Power - Max1.3W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case12-PowerVDFN
Hersteller-GehäuseV-DFN5045-12 (Type C)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)