DMHT10H032LFJ-13

Name: DMHT10H032LFJ-13
Brand: Diodes Incorporated

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 4N-CH 100V 6A 12VDFN

Aktiv12-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	33mOhm @ 6A, 10V
Basis-Teilenummer	DMHT10
Konfiguration	4 N-Channel (Full Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	11.9nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	683pF @ 50V
Hersteller	Diodes Incorporated
Montageart	Surface Mount
Product Status	Active
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA

Drain-Source-Spannung	100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	6A (Ta)
Power - Max	900mW

Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)