DMHC3025LSD-13

Diodes Incorporated

DMHC3025LSD-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N/2P-CH 30V 6A/4.2A 8SO

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs25mOhm @ 5A, 10V
Basis-TeilenummerDMHC3025
Konfiguration2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds590pF @ 15V, 631pF @ 15V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A, 4.2A
Power - Max1.5W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SO

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)