DMHC10H170SFJ-13

Diodes Incorporated

DMHC10H170SFJ-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N/2P-CH 100V 2.9A 12VDFN

Aktiv12-VDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs160mOhm @ 5A, 10V
Basis-TeilenummerDMHC10
Konfiguration2 N and 2 P-Channel (Full Bridge)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1167pF @ 25V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.9A, 2.3A
Power - Max2.1W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case12-VDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseV-DFN5045-12

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)