DMG8601UFG-7

Diodes Incorporated

DMG8601UFG-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 6.1A 8DFN

Aktiv8-PowerUDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs23mOhm @ 6.5A, 4.5V
Basis-TeilenummerDMG8601
Konfiguration2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.8nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds143pF @ 10V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.05V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.1A
Power - Max920mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerUDFN
Hersteller-GehäuseU-DFN3030-8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)