DMG6898LSD-13

Diodes Incorporated

DMG6898LSD-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 9.4A, 4.5V
Basis-TeilenummerDMG6898
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1149pF @ 10V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.5A
Power - Max1.28W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SO

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)