DMG6602SVT-7

Name: DMG6602SVT-7
Brand: Diodes Incorporated

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26

AbgekündigtSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	60mOhm @ 3.1A, 10V
Basis-Teilenummer	DMG6602
Konfiguration	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate, 4.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	400pF @ 15V
Hersteller	Diodes Incorporated
Montageart	Surface Mount
Product Status	Not For New Designs
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.3V @ 250µA

Drain-Source-Spannung	30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	3.4A, 2.8A
Power - Max	840mW

Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)