DMG6402LDM-7

Diodes Incorporated

DMG6402LDM-7

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26

AktivSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs27mOhm @ 7A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs9.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds404 pF @ 15 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.3A (Ta)
Max. Verlustleistung1.12W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6
Hersteller-GehäuseSOT-26

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)