DMG5802LFX-7

Diodes Incorporated

DMG5802LFX-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 24V 6.5A 6DFN

Aktiv6-VFDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 6.5A, 4.5V
Basis-TeilenummerDMG5802
Konfiguration2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs31.3nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1066.4pF @ 15V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.5A
Power - Max980mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-VFDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseW-DFN5020-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)