DMG4800LSDQ-13

Diodes Incorporated

DMG4800LSDQ-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SOP

Aktiv8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 9A, 10V
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs8.56nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds798pF @ 10V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.6V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.5A (Ta)
Power - Max1.17W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SOP

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101