DMG4511SK4-13

Diodes Incorporated

DMG4511SK4-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 35V 5.3A TO252-4L

AktivTO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252ADAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 8A, 10V
Basis-TeilenummerDMG4511
KonfigurationN and P-Channel, Common Drain
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18.7nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds850pF @ 25V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.3A, 5A
Power - Max1.54W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Hersteller-GehäuseTO-252-4L

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)