DMG1029SV-7

Name: DMG1029SV-7
Brand: Diodes Incorporated

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 60V 0.5A SOT563

AktivSOT-563, SOT-666Analog & Leistungselektronik

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.7Ohm @ 500mA, 10V
Basis-Teilenummer	DMG1029
Konfiguration	N and P-Channel
FET Feature	Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	0.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	30pF @ 25V, 25pF @ 25V
Hersteller	Diodes Incorporated
Montageart	Surface Mount
Product Status	Active
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id	2.5V @ 250µA

Drain-Source-Spannung	60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	500mA, 360mA
Power - Max	450mW

Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)