DMG1026UV-7

Diodes Incorporated

DMG1026UV-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 60V 0.41A SOT563

AktivSOT-563, SOT-666Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.8Ohm @ 500mA, 10V
Basis-TeilenummerDMG1026
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.45nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds32pF @ 25V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.8V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C410mA
Power - Max580mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-563, SOT-666
Hersteller-GehäuseSOT-563

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)