DMG1013T-7

Diodes Incorporated

DMG1013T-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 460MA SOT523

AktivSOT-523Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs700mOhm @ 350mA, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.622 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds59.76 pF @ 16 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±6V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C460mA (Ta)
Max. Verlustleistung270mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-523
Hersteller-GehäuseSOT-523

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)