DMG1012UWQ-7

Diodes Incorporated

DMG1012UWQ-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT323 T&R

Aktiv6-TSSOP, SC-88, SOT-363Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs450mOhm @ 600mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds43 pF @ 16 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±6V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C950mA (Ta)
Max. Verlustleistung460mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Hersteller-GehäuseSOT-363

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)