DMG1012T-7

Diodes Incorporated

DMG1012T-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 20V 630MA SOT-523

AktivSOT-523Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs400mOhm @ 600mA, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.74 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds60.67 pF @ 16 V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±6V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C630mA (Ta)
Max. Verlustleistung280mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-523
Hersteller-GehäuseSOT-523

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)