DMC67D8UFDBQ-7

Diodes Incorporated

DMC67D8UFDBQ-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 60V 0.39A 6UDFN

Aktiv6-UDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4Ohm @ 500mA, 10V, 72mOhm @ 3.5A, 4.5V
KonfigurationN and P-Channel Complementary
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.4pC @ 4.5V, 7.3nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds41pF @ 25V, 443pF @ 16V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA, 1.25V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C390mA (Ta), 2.9A (Ta)
Power - Max580mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseU-DFN2020-6 (Type B)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101