DMC6070LND-13

Diodes Incorporated

DMC6070LND-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 60V 3.1A PWRDI3333

Aktiv8-PowerVDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs85mOhm @ 1.5A, 10V
Basis-TeilenummerDMC6070
KonfigurationN and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds731pF @ 20V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.1A, 2.4A
Power - Max1.4W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerVDFN
Hersteller-GehäusePowerDI3333-8 (Type UXB)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)