DMC3032LFDB-13

Diodes Incorporated

DMC3032LFDB-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 30V 5.3A 6UDFN

Aktiv6-UDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs30mOhm @ 5.8A, 10V, 70mOhm @ 3.8A, 10V
Basis-TeilenummerDMC3032
KonfigurationN and P-Channel Complementary
FET FeatureStandard
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.6nC @ 10V, 7.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds500pF @ 15V, 336pF @ 25V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2V @ 250µA, 2.1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.3A (Ta), 3.4A (Ta)
Power - Max800mW

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseU-DFN2020-6 (Type B)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)