DMC3018LSD-13

Diodes Incorporated

DMC3018LSD-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 30V 9.1A/6A 8SO

Obsolet8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 6.9A, 10V
Basis-TeilenummerDMC3018
KonfigurationN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs12.4nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds631pF @ 15V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id2.1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.1A, 6A
Power - Max2.5W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SO

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)