DMC2057UVT-13

Diodes Incorporated

DMC2057UVT-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 20V 4A/3.3A TSOT26

AktivSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs42mOhm @ 5A, 4.5V, 70mOhm @ 3.5A, 4.5V
Basis-TeilenummerDMC2057
KonfigurationN and P-Channel Complementary
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs10.5nC @ 10V, 6.5nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds416pF @ 10V, 536pF @ 10V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4A (Ta), 3.3A (Ta)
Power - Max700mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Hersteller-GehäuseTSOT-26

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)