DMC1030UFDBQ-7

Diodes Incorporated

DMC1030UFDBQ-7

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 12V 5.1A 6UDFN

Abgekündigt6-UDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs34mOhm @ 4.6A, 4.5V
KonfigurationN and P-Channel Complementary
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs23.1nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1003pF @ 6V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.1A
Power - Max1.36W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-UDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseU-DFN2020-6 (Type B)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101