DMC1017UPD-13

Diodes Incorporated

DMC1017UPD-13

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 12V 13A PWRDI50

Obsolet8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 11.8A, 4.5V, 32mOhm @ 8.9A, 4.5V
KonfigurationN and P-Channel Complementary
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18.6nC @ 4.5V, 23.7nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1787pF @ 6V, 2100pF @ 6V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C13A (Ta), 9.4A (Ta)
Power - Max2.3W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäusePowerDI5060-8

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)
QualificationAEC-Q101