DMC1016UPD-13

Diodes Incorporated

DMC1016UPD-13

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 12V 9.5A PWRDI50

Aktiv8-PowerTDFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 11.8A, 4.5V
Basis-TeilenummerDMC1016
KonfigurationN and P-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32nC @ 8V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1454pF @ 6V
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung12V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9.5A, 8.7A
Power - Max2.3W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerTDFN
Hersteller-GehäusePowerDI5060-8

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)