DGD2012S8-13

Diodes Incorporated

DGD2012S8-13

Analog & Leistungselektronik

IC GATE DRV HALF-BRIDGE 8SO 2.5K

Obsolet8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerDGD2012
Channel TypeIndependent
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeN-Channel MOSFET
EingangstypNon-Inverting
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusObsolete
Rise / Fall Time (Typ)40ns, 20ns

Elektrisch

Current - Peak Output (Source, Sink)1.9A, 2.3A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)200 V
Logic Voltage - VIL, VIH0.8V, 2.5V
Versorgungsspannung10V ~ 20V

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Hersteller-Gehäuse8-SO

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 150°C (TJ)