DGD0590AFU-7

Diodes Incorporated

DGD0590AFU-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IC GATE DRV HALF-BRIDG QFN3030-8

Aktiv8-VQFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerDGD0590
Channel TypeIndependent
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeN-Channel MOSFET
EingangstypNon-Inverting
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)27ns, 29ns

Elektrisch

Current - Peak Output (Source, Sink)1A, 3A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)50 V
Versorgungsspannung4.5V ~ 5.5V

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-VQFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseV-QFN3030-8 (Type TH)

Umwelt

Betriebstemperatur150°C(TJ)