DGD0506AFN-7

Diodes Incorporated

DGD0506AFN-7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

IC GATE DRV HALF-BRDG DFN3030-10

Aktiv10-WFDFN Exposed PadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerDGD0506
Channel TypeSynchronous
Driven ConfigurationHalf-Bridge
Gate TypeN-Channel MOSFET
EingangstypCMOS/TTL
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartSurface Mount
Number of Drivers2
Product StatusActive
Rise / Fall Time (Typ)17ns, 12ns

Elektrisch

Current - Peak Output (Source, Sink)1.5A, 2A
High Side Voltage - Max (Bootstrap)50 V
Logic Voltage - VIL, VIH0.8V, 2.4V
Versorgungsspannung8V ~ 14V

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case10-WFDFN Exposed Pad
Hersteller-GehäuseW-DFN3030-10

Umwelt

Betriebstemperatur-40°C ~ 125°C (TA)