D2G-T

Diodes Incorporated

D2G-T

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 100V 1A T-1

AktivT1, AxialAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerD2G
Capacitance @ Vr, F8pF @ 4V, 1MHz
HerstellerDiodes Incorporated
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)2 µs
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If1 V @ 1 A
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr5 µA @ 100 V
GeschwindigkeitStandard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseT1, Axial
Hersteller-GehäuseT-1

Umwelt

Operating Temperature - Junction-65°C ~ 150°C